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逆变器的创制重心和机能测试

逆变器

  的功率,免除了烦琐的变压器绕制,适合电子爱好者业余制作中采用。下面介绍该逆变器的工作原理及制作过程。

逆变器的创制重心和机能测试

逆变器的创制重心和机能测试

  这里采用六反相器CD4069构成方波信号发生器。电路中R1是补偿电阻,用于改善由于电源电压的变化而引起的振荡频率不稳。电路的振荡是通过电容C1充放电完成的。其振荡频率为f=1/2.2RC.图示电路的最大频率为:fmax=1/2.2×3.3×103×2.2×10-6=62.6Hz;最小频率fmin=1/2.2×4.3×103×2.2×10-6=48.0Hz.由于元件的误差,实际值会略有差异。其它多余的反相器,输入端接地避免影响其它电路。

逆变器的创制重心和机能测试

  由于方波信号发生器输出的振荡信号电压最大振幅为0~5V,为充分驱动电源开关电路,这里用TR1、TR2将振荡信号电压放大至0~12V。

逆变器的创制重心和机能测试

  下面简述一下用C-MOS场效应管(增强型MOS 场效应管)组成的应用电路的工作过程(见下图)。电路将一个增强型P沟道MOS场效应管和一个增强型N沟道MOS场效应管组合在一起使用。当输入端为低电平时,P沟道MOS场效应管导通,输出端与电源正极接通。当输入端为高电平时,N沟道MOS场效应管导通,输出端与电源地接通。在该电路中,P沟道MOS场效应管和N沟道MOS场效应管总是在相反的状态下工作,其相位输入端和输出端相反。通过这种工作方式我们可以获得较大的电流输出。同时由于漏电流的影响,使得栅压在还没有到0V,通常在栅极电压小于1到2V时,MOS场效应管既被关断。不同场效应管其关断电压略有不同。也正因为如此,使得该电路不会因为两管同时导通而造成电源短路。

  由以上分析我们可以画出原理图中MOS场效应管电路部分的工作过程(见下图)。工作原理同前所述。这种低电压、大电流、频率为50Hz的交变信号通过变压器的低压绕组时,会在变压器的高压侧感应出高压交流电压,完成直流到交流的转换。这里需要注意的是,在某些情况下,如振荡部分停止工作时,变压器的低压侧有时会有很大的电流通过,所以该电路的保险丝不能省略或短接。

逆变器的创制重心和机能测试

  电路板见图6。逆变器用的变压器采用次级为12V、电流为10A、初级电压为220V的成品电源变压器。P沟道MOS场效应管(2SJ471)最大漏极电流为30A,在场效应管导通时,漏-源极间电阻为25毫欧。此时如果通过10A电流时会有2.5W的功率消耗。N沟道MOS场效应管(2SK2956)最大漏极电流为50A,场效应管导通时,漏-源极间电阻为7毫欧,此时如果通过10A电流时消耗的功率为0.7W.由此我们也可知在同样的工作电流情况下,2SJ471的发热量约为2SK2956的4倍。所以在考虑散热器时应注意这点。本文介绍的逆变器场效应管在散热器(100mm×100mm×17mm)上的位置分布和接法。尽管场效应管工作于开关状态时发热量不会很大,出于安全考虑这里选用的散热器稍偏大。

逆变器的创制重心和机能测试

  测试电路如下。这里测试用的输入电源采用内阻低、放电电流大(一般大于100A)的12V汽车电瓶,可为电路提供充足的输入功率。测试用负载为普通的电灯泡。测试的方法是通过改变负载大小,并测量此时的输入电流、电压以及输出电压。输出电压随负荷的增大而下降,灯泡的消耗功率随电压变化而改变。我们也可以通过计算找出输出电压和功率的关系。但实际上由于电灯泡的电阻会随受加在两端电压变化而改变,并且输出电压、电流也不是正弦波,所以这种的计算只能看作是估算。

逆变器的创制重心和机能测试

  以负载为60W的电灯泡为例:假设灯泡的电阻不随电压变化而改变。因为R灯=V2/W=2102/60=735Ω,所以在电压为208V时,W=V2/R=2082/735=58.9W.由此可折算出电压和功率的关系。通过测试,我们发现当输出功率约为100W时,输入电流为10A.此时输出电压为200V。

  请确保您的变压器可以在最大50安培的低压侧承载电线。 (最好是留有余地)

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  X04是一款先进的高速CMOS六角形逆变器。输入可承受高达7V的电压,允许5V系统与3V系统的接口。 特性 高速:t PD = 4.1 ns(典型值)在V CC = 3.3V 低功耗:I CC =2μA(Max),T A = 25 C 输入时提供断电保护 平衡传播延迟 低噪音:V OLP = 0.5V(最大) 引脚和功能与其他标准逻辑系列兼容 闩锁性能超过300mA ESD性能:HBM

  2000V;机型

  XU04是一款高性能无缓冲六角形逆变器,采用2.3至3.6 V电源供电。高阻抗TTL兼容输入可显着降低输入驱动器的电流负载,而TTL兼容输出可提供更高的开关噪声性能。 AV I 规范5.5 V允许从5 V器件安全地驱动MC74LCXU04输入。 特性 设计用于2.3至3.6 VV CC 操作 5 V容差输入 - 接口能力与5 V TTL逻辑 兼容LVTTL LVCMOS兼容 近零静态电源电流(10 mA) )大幅降低SystemPower要求 闩锁性能超过500毫安 ESD性能:人体模型

  2000 V;机器型号

  9UB六角形逆变器由MOS Pchannel和Nchannel增强模式器件构成,采用单片结构。这些逆变器主要用于需要低功耗和高抗扰度的场合。六个逆变器中的每一个都是单级,以最小化传播延迟。 特性 电源电压范围= 3.0 Vdc至18 Vdc 能够在额定温度范围内驱动两个低功率TTL负载或一个低功耗肖特基TTL负载 所有输入上的三重二极管保护(参见第5-2页) CD4069UB的针脚更换 符合JEDEC UB规格 无铅封装可用* 电路图、引脚图和封装图...

  04是一款采用0.35微米CMOS技术制造的逆变器,具有低至1.0伏的卓越性能。该器件非常适合极高速和高驱动应用。此外,电路板空间的限制不再是限制因素。非常小的SOT-553使该设备适合最紧凑的设计和空间。 特性 极高速:1 nS(典型值)@V cc 3.3V 设计用于1.0伏至3.3伏的操作 过压容差(OVT)输入&输出,允许逻辑转换 平衡±24 mA输出驱动@ 3.3伏 接近零静态电源电流 超薄SOT-553,5针封装,仅1.6 x 1.6 mm英尺,是SOT-23的1/3英尺 SOT-553封装中的所有器件都是固有的无铅** 应用 Cellular 数码相机 PDA 数字视频 电路图、引脚图和封装图...

  加高达4.6 V的电压时,NL17SGU04输入结构提供保护。 特性 宽工作VCC范围:0.9 V至3.6 V 高速:tPD = 2.5 ns(典型值),VCC = 3.0 V,CL = 15 pF 低功耗:TA = 25C时ICC = 0.5uA(Max) 4.6 V过压容差(OVT)输入引脚 UltraSmall软件包 这些是PbFree和HalideFree设备 电路图、引脚图和封装图

  U04是单个无缓冲变频器,工作电压范围为1.65-5.5 V,采用非常流行的SC70 / SC88a / SOT-353封装或1.6 x 1.6 X.6 mm SOT553封装。 特性 微小的SOT-353和SOT-553封装 源/汇+ + - 16 mA,4.5 VV CC 过压容差输入和输出 带有NC7SZU04P5X,TC7SZU04FU和TC7SZU04AFE的引脚引脚 芯片复杂性:FETs = 20 设计用于1.65 V至5.5 VV CC 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图

  04 MiniGate™是一款单反相器,工作电压范围为1.65-5.5 V,采用非常流行的SC70 / SC88a / SOT-353 pacakge或1.6 x 1.6 X.6 mm SOT553微型封装。 特性 微小的SOT-353和SOOT-553软件包 24 mA平衡输出吸收和源功能 过压容差输入和输出 带NC7SZ04P5X,TC7SZ04FU和TC7SZ04AFE的引脚引脚 芯片复杂度:FETs =

  14 MiniGate™是一款逆变器,施密特的工作电压为1.65-5.5 V,采用非常流行的SC70 / SC88a / SOT-353封装或1.6 X 1.6 x.6 mm SOT553封装。 特性 微小的SOT-353和SOT-553封装 电源/接收器24 mA,3.0 V 过电压容差输入和输出 针对NC7SZ14的针脚 设计用于1.65 V至5.5 VV CC 操作 芯片复杂度:FET =

  Z06是一款单开漏转换器,工作电压范围为1.65-5.5 V,采用SC70 / SC88a / SOT-353封装。 特性 极高速度:t PD 2.5 ns(典型值)V CC = 5 V 设计用于1.65 V至5.5 VV CC 操作,CMOS兼容 过压容差输入:对于V CC 介于0.5和5.5V之间,Vin可能介于0和7V之间 TTL兼容 - 具有5 V TTL逻辑的接口能力,V CC = 2.7V至3.6V 24 mA输出接收能力,上拉电阻可在0到7V之间 近零静态电源电流大幅降低系统电源要求 芯片复杂度:FET = 20 T iny SOT-353 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...

  MC74LCX06 低压CMOS六路反向器 具有漏极开路输出和5V容差I / O.

  X06是一款高性能六角形逆变器,采用2.3至3.6 V电源供电。高阻抗TTL兼容输入可显着降低输入驱动器的电流负载。该器件具有开漏输出,可以设置输出电平,或者执行高电平有效或低电平有效功能。 特性 专为2.3至3.6 VV CC 操作设计 5 V容忍输入/输出 兼容LVTTL LVCMOS兼容 24 mA输出接收能力 近零静态电源电流(10mA)大幅降低系统功耗要求 Latchup性能超过500mA 有线-OR,有线-AND 输出等级可以是在不影响设备速度的情况下进行外部设置 与LCX05功能兼容 ESD性能:人体模型

  1500 V;机器型号

  06是一款单开漏转换器,工作电压范围为1.65-5.5 V,采用非常流行的SC70 / SC88a / SOT-353封装或1.6 x 1.6 X.6 mm SOT553封装。 特性 极高速:t PD 2.5

  NCS21911 精密运算放大器 2 MHz带宽 低噪声 零漂移 25μV偏移

  1x系列高精度零漂移运算放大器具有低输入失调电压和随时间和温度的低失调漂移。这些器件具有低静态电流和低噪声性能,轨到轨输出摆幅在10 mV以内。 NCS21911可在4 V至36 V的宽电源电压范围内工作。所有型号的额定工作温度范围均为-40°C至+ 125°C。 NCV前缀下提供汽车合格选项。 特性 优势 低偏移电压:25μVMax 输出低误差 低偏移漂移:0.085μV/°C max 温度精度更高 电源电压:4至36V 宽电源电压范围 静态电流:最大570μ 低功耗 低噪音:典型值22 nV /√Hz 精确性能 增益带宽积:典型值为2 MHz 速度更快,压摆率更高 轨到轨输出 应用 终端产品 温度监测 传感器应用 电子秤 医疗仪器 电流传感 汽车 电源 牵引逆变器 电机控制 传感器接口 电路图、引脚图和封装图...

  FPF2C8P2NL07A F2,3相 3电平NPC模块(带压装/ NTC)

  ild的新型逆变器模块实现低导通损耗和开关损耗。此外,压装技术提供简单,可靠的安装。这些模块已针对需要高效率和稳健型设计的应用(如太阳能逆变器和UPS)而优化。 特性 高效率 低导通损耗和开关损耗 场截止IGBT,适用于内外部开关 li

  STEALTH TM 二极管,适用于通道二极管 内置热敏电阻,实现温度监控 电路图、引脚图和封装图

  NXH160T120L2Q2F2SG 功率集成模块(PIM) IGBT 1200 V 160 A和600 V 100 A

  T120L2Q2F2SG是一款功率集成模块(PIM),包含一个分离式T型中性点钳位三电平逆变器,由两个160A / 1200V半桥IGBT和二极管组成,两个中性点120A / 1200V整流器,两个100A / 600V中性点IGBT,带反向二极管,两个半桥60A / 600V整流器和一个负温度系数热敏电阻(NTC)。 特性 优势 600 V IGBT规格:VCE(SAT)= 1.47 V,ESW = 2560 uJ 快速切换具有低VCE(SAT)的IGBT以实现更高效率 1200 V IGBT规格:VCE(SAT)= 2.15 V,ESW = 4300 uJ 快速切换具有低VCE(SAT)的IGBT以实现更高的效率 底板 热传播 可焊销 轻松安装 热敏电阻 温度检测 T型中性点钳位三电平逆变器模块 应用 终端产品 DC-AC阶段 太阳能逆变器 UPS 电路图、引脚图和封装图...

  NXH450N65L4Q2 功率集成模块(PIM) I型NPC 650 V 450 A IGBT 650 V 375 A二极管

  N65L4Q2是功率集成模块,包含I型中性点钳位(NPC)三电平逆变器,由两个225 A / 650 V外部IGBT,两个375 A / 650 V内部IGBT和两个375 A / 650 V中性线组成点二极管。反向二极管是150 A / 650 V器件。该模块包含一个NTC热敏电阻。 特性 优势 现场停止4个650 V IGBT,具有快速开关性能和出色的VCE(SAT) 提高系统效率和简化热设计 焊针版本 应用 终端产品 DC-AC转换 分散式太阳能逆变器 - 1200V 不间断电源 电路图、引脚图和封装图...

  NXH80T120L2Q0 功率集成模块(PIM) T型NPC 1200 V 80 A IGBT 600 V 50 A IGBT

  120L2Q0是功率集成模块,包含一个T型中性点钳位(NPC)三电平逆变器,由两个80 A / 1200 V半桥IGBT组成,带有40 A / 1200 V半桥二极管和两个50 A / 600 V NPC IGBT,带有两个50 A / 600 V NPC二极管。模块还包含一个板载热敏电阻。 特性 优势 低VCESAT的高速1200V和650V IGBT 提高效率 预先应用热界面材料(TIM)的选项预先应用的TIM 更简单的安装过程 使用压入销和焊针的选项 模块安装过程的更广泛选择 应用 终端产品 太阳能逆变器 UPS逆变器 太阳能串逆变器 电路图、引脚图和封装图...

  NXH160T120L2Q2F2S1 功率集成模块(PIM) IGBT 1200 V 160 A和650 V 100 A

  T120L2Q2F2SG是一款功率集成模块(PIM),包含一个分离式T型中性点钳位三电平逆变器,由两个带反向二极管的160A / 1200V半桥IGBT,两个中性点120A / 1200V整流器组成,两个具有反向二极管的100A / 650V中性点IGBT,两个半桥60A / 650V整流器和一个负温度系数热敏电阻(NTC)。 特性 优势 650 V IGBT规格:VCE(SAT)= 1.47 V,ESW = 2560 uJ 快速切换具有低VCE(SAT)的IGBT以实现更高效率 1200 V IGBT规格:VCE(SAT)= 2.15 V,ESW = 4300 uJ 快速切换具有低VCE(SAT)的IGBT以实现更高的效率 底板 热传播 可焊销 轻松安装 热敏电阻 温度检测 T型中性点钳位三电平逆变器模块 应用 终端产品 DC-AC阶段 太阳能逆变器 UPS 电路图、引脚图和封装图...

  30是一款700 V高侧和低侧驱动器,具有高驱动能力,适用于AC-DC电源和逆变器。 NCP51530在高工作频率下提供同类最佳的传播延迟,低静态电流和低开关电流。因此,该器件可为高频工作的电源提供高效设计。 NCP51530采用SOIC8和DFN10封装。 特性 优势 高压范围:高达700 V AC / DC设计的设计余量 传播延迟非常快(B版本为25 ns) ) 适合高频操作 匹配传播延迟(最大7 ns) 提高效率允许并联 高达50 V / ns的高dv / dt抗扰度和负瞬态抗扰度 非常稳健的设计 DFN10封装,具有优化的引脚输出 小PCB占位面积,改善的爬电距离和寄生 快速上升和下降时间(最长15 ns) 适合重载 应用 终端产品 半满和满-bridge Converters 有源钳位反激式适配器 电机控制电源 服务器,电信和工业用电源 电动助力转向 太阳能逆变器 电路图、引脚图和封装图...

  7是一款高电流双输出DC-DC转换器,可产生正电压和负电压。 LV52117特别适用于LCD显示器等电源应用。 特性 集成1.5MHz同步升压和逆变器转换器 2.75V至4.6V输入电压范围 4.6V至5.8V可调正输出(VDCO1) -5.8V至-4.6V可调负输出(VDCO2) 输出电流高达100mA 脉冲跳跃模式低负载条件 过流/短路保护 终端产品 液晶面板 电路图、引脚图和封装图

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本站文章于2019-11-24 05:28,互联网采集,如有侵权请发邮件联系我们,我们在第一时间删除。 转载请注明:逆变器的创制重心和机能测试 逆变器