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数字分开器可认为工业电机驱动运用带来本能上

集成电路

  工业电机驱动中使用的电子控制必须能在恶劣的电气环境中提供较高的系统性能。电源会在电机绕组上导致电压沿激增现象,而这些电压沿则可以进低电压电路之中。电源电路中,电源开关和寄生元件的非理想行为也会产生感性耦合噪声。控制电路与电机和形成多种路径,可将噪声耦合到控制反馈信号中。高性能驱动器需要必须与高噪声电源电路隔离开的高保真反馈控制和信号。在典型的驱动系统中,包括隔离栅极驱动信号,以便将和位置反馈信号驱动到电机控制器,以及隔离各子系统之间的通信信号。实现信号隔离时,不得牺牲信号路径的带宽,也不得显著增加系统成本。合器是跨越隔离栅实现安全隔离的传统方法。尽管光耦合器已使用数十年,其不足也会影响系统级性能。

  变速电机驱动器在工业应用中的广泛使用要归功于高效电源开关和具有成本优势的电子控制电路。设计上的困难则是用低压控制电路耦合高功率开关电路,而不牺牲抗噪性能或开关速度。

数字分开器可认为工业电机驱动运用带来本能上

  现代开关逆变器的效率一般超过95%,所用功率晶体管开关还可连接高压直流轨高轨与低轨之间的电机绕组。这一过程可以减少逆变器的损耗,因为功率晶体管工作于完全饱和模式下,而该模式会降低传导时的压降和功率损耗。开关过程中还存在额外的功率晶体管损耗,因为在此期间,晶体管上有一较大的电压,与此同时,负载电流在高、低功率设备之间进行切换。功率半导体公司设计出IGBT之类开关时间较短的晶体管,以减少这种开关功率损耗。然而,这种较高的开关速度也会带来一些无用的副作用,比如开关噪声增加。

  在驱动器控制端,VLSI工艺的持续进步改善了混合信号控制电路的成本和性能,为高级数字控制算法的广泛应用以及交流电机效率的提高创造了条件。提升性能付出的代价是IC工作电压从12 V至5 V降低至现在的3.3 V,结果提高了对噪声的灵敏度。这种传统的噪声过滤方法通常不太适用,因为往往需要维持驱动系统的带宽,而带宽一般都是一个关键的性能参数。

  三相逆变器是一种功率电子开关电路,控制功率从直流供电轨到三个交流电机绕组的流动。逆变器有三条相同的腿,每条腿包括两个IGBT晶体管和两个二极管,如图1所示。每个电机绕组均连接至通过分流器连接高端晶体管和低端晶体管的同一节点。逆变器使电机绕组在直流总线的高压轨和低压轨之间切换,以控制平均电压。绕组具有极高的电感性,将阻挡电流的变化,因此,当功率晶体管关闭时,电流将开始在连接至相反电源轨的二极管中流动。这样,即使逆变器功率设备和直流链路电容中存在断续传导,也会有电流连续流到电机绕组中。电机绕组阻抗充当来自逆变器的高压脉冲宽度调制方波输出电压的低通滤波器。

  将低压控制电流连接至逆变器时存在巨大的困难。一个基本问题是,高端晶体管发射器节点在高压总线高供电轨与低供电轨之间切换。首先,高端驱动器必须能够驱动相对于一个发射器(可能比共用输入信号高300 V或以上)的栅极信号。其次,通过分流器(vsh)的电机电流信号必须从300 V或以上的共模电压中提取出来。其他问题将由电源电路中的寄生元件导致。当功率晶体管或二极管的开关频率超过1 A/ns时,即使是10 nH的PCB走线电感也可能导致显著的电压(>

  10 V)。寄生电感和部件电感会导致振铃,结果使设备开关产生的噪声脉冲的持续时间变长。甚至电机电缆的高频阻抗也可能带来问题,因为出于安全考虑,配电板可能离电机很远。其他效应包括噪声从电机耦合到反馈传感器信号中,其原因是快速切换的绕组电压波形。

  问题将变得更加严重,因为驱动电路的功率额定值将增加电路板的物理尺寸,结果将进一步增加寄生电感,甚至提高电流和电压开关速率。通过隔离控制和电源电路消除噪声耦合现象,是应对这一问题的主要工具之一。隔离电路的性能是决定驱动性能的一个关键因素。在转轴转动时,转轴位置编码将产生频率为100 kHz或以上的数字脉冲流。然而,在许多情况下,编码器上安装的电路会提高设备的精度,并使数据速率增加到10 Mbps以上。另外,跨越分流器的反馈信号也可以隔离,方法是先把数据转换成数字位流,然后把该位流与低功耗电路隔离开来。这种情况下,数据速率为10 Mbps至20 Mbps。

  栅极驱动电路所需要的开关性能似乎并不高,因为电机驱动逆变器的开关速率很少超过20 kHz。然而,需要在高端设备和低端设备的开关信号之间插入一个死区,以防止发生直通。死区为功率开关的开启和关闭延迟以及隔离电路所致延迟的不确定性的函数。死区延长会给逆变器传递函数带来更多非线性,结果将产生无用的电流谐波,并可能降低驱动效率。

  因此,跨越电源电路和控制电路之间的隔离栅发送数据的方法不得在开关过程中带来时序的不确定性,并须具备较强的抗噪能力。

  隔离不得给整体系统性能带来任何显著的时序不确定性或时序误差。标准光耦合器的传播延迟为微秒级,可能因器件而异,因温度和寿命而异。光耦合器技术在时序性能方面存在一些根本的不足,而现代数字隔离器采用完全不同的运算原则,其速率也更高。

  可以在有所折衷的情况下增加光耦合器的速率。光耦合器的工作原理是,将来自LED的光发送至一种光学透明的隔离材料,并用另一端的光电二极管检测光。光耦合器的速度与光电二极管检波器的速率以及为其二极管电容充电的时间直接相关。减少传播延迟的一种方法是增加发射的光量。通过提高LED电流,可以使延迟减少2或3倍,但其代价是设备功耗会增加,每个数据通道最高将达50 mW。

  提高速度的另一种办法是通过使用更薄的隔离栅来减少光传输损耗。为了维持相同的隔离能力,需要增加一层材料,但代价是成本也将增高。更快的光耦合器比标准的低成本光耦合器要贵许多倍。

  相反,数字隔离器则是采用标准的高速CMOS工艺,并搭载隔离式片内微变压器。其传输速率自然比光耦合器快很多。较高的速度是电路和设计与生俱来的特点,不需要更复杂、成本更高的隔离材料也可实现更高的速度。变压器可以以最高150 Mbps的传输速率传递数据,传播延迟低至32 ns,功耗

  在电机驱动系统中,隔离还提供了一个分离噪声源的机会,方法是以电流方式将噪声从功率开关电路和控制电路之中隔离开来。以下各项之间有安全隔离需求:高压总线、线路电压和用户界面,以同时保护人、保护其他设备。还需要在功能上使高端开关和低端开关与控制电路相隔离。隔离元件必须能提供必要的隔离,同时也需对嘈杂环境不敏感。

  衡量隔离器分离地域之间高速噪声的能力的指标一般称为共模瞬变抗扰度(CMTI)。CMTI旨在衡量一个隔离器在隔离器数据通信不被噪声打断的情况下,对隔离栅中的电压噪声的抑制能力。其单位是kV/μs瞬变。

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  电压瞬变噪声跨越隔离栅的路径一般是寄生电容跨过隔离器中的隔离栅。光耦合器的CMTI一般较差,为15 kV/μs。一些现代数字隔离器采用电容耦合数据隔离技术,其信号和共模噪声使用同一路径。基于变压器的隔离器(如ADI的iCoupler数字隔离器)的信号路径不同于噪声路径,其CMTI的值一般为50 kV/μs或以上。

  数字隔离器采用晶圆CMOS工艺制造,仅限于常用的晶圆材料。非标准材料会使生产复杂化,导致可制造性变差且成本提高。常用的绝缘材料包括聚合物(如聚酰亚胺PI,它可以旋涂成薄膜)和二氧化硅(SiO2)。二者均具有众所周知的绝缘特性,并且已经在标准半导体工艺中使用多年。聚合物是许多光耦合器的基础,作为高压绝缘体具有悠久的历史。

数字分开器可认为工业电机驱动运用带来本能上

  安全标准通常规定1分钟耐压额定值(典型值2.5 kV rms至5 kV rms)和工作电压(典型值125 V rms至400 V rms)。某些标准也会规定更短的持续时间、电压浪涌(如10 kV峰值并持续50 µs)作为增强绝缘认证的一部分要求。聚合物/聚酰亚胺隔离器可提供最好的隔离特性(见表1)。聚酰亚胺数字隔离器与光耦合器类似,在典型工作电压下,工作寿命超过电机,额定使用寿命为50年。SiO2隔离器的工作寿命与之接近,但是,对高能浪涌的保护能力却较弱。

  在高温连续使用的情况下,影响光耦合器寿命的可能不是隔离材料的分解而是LED磨损。当温度>

  85°C时,工作1万小时,光耦合器的电流传输比(CTR)将下降10%至20%。10万小时时,CTR可能会下降一半或以上。

数字分开器可认为工业电机驱动运用带来本能上

  展示了栅极驱动、通信和反馈信号隔离的典型驱动电路如图3所示。在该系统中,隔离的Σ-Δ ADC用来测量电机绕组电流,数字位流则由电机控制IC上的数字过滤电路进行处理。位置编码器包含一个ASIC,由其通过一个隔离式RS-485接口将位置和速度数据发送给电机控制IC。其他隔离式串行接口包括连接PFC的I2C接口以及连接前面板的隔离式RS-232链路。在此例中,PWM信号与逆变器模块隔离,IGBT由一个嵌入该模块中的电平转换栅极驱动器驱动。

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  50是一款先进的Motion SPM ® 7模块,为交流感应,BLDC和PMSM电机提供功能齐全的高性能逆变输出级。这些模块集成具有优化栅极驱动功能的内嵌MOSFET(FRFET ®技术),可最大限度地降低电磁干扰(EMI)和损耗,同时还提供多种模块导通保护功能,包括欠压锁定,热监控,故障报告和互锁功能。内嵌的一个HVIC将进入的逻辑电平栅级输入信号转换为有效驱动模块内部MOSFET所需的高电压,高电流驱动信号。独立开源MOSFET引脚适用于各相位,以支持最广泛的算法控制。 特性 UL认证号E209204(UL1557) 高性能PQFN封装 500 VR DS(on ) =2.2Ω(最大值)FRFET MOSFET三相逆变器,带有栅极驱动器保护功能 低侧MOSFET的独立开源引脚用于三相电流感测 高电平有效接口,适用于3.3 / 5 V逻辑,施密特触发脉冲输入 针对低电磁干扰进行优化 HVIC内嵌温度感功能,用于监控温度 栅极驱动HVIC,具有欠压保护和互锁功能 绝缘等级:1500 V rms /分 湿度敏感等级(MSL)3 符合RoHS标准 应用 运动控制 - 家用...

  CH120DF是一款先进的Motion SPM ® 3模块,为交流感应,BLDC和PMSM电机提供功能齐全的高性能变频输出级。这些模块集成了内置IGBT已优化的栅极驱动,从而最小化EMI和损耗,提供多项模块自带保护特性,包括欠压闭锁,过流关断,热监控驱动IC和故障报告。内置高速HVIC仅需要单电源电压并将收到的逻辑电平栅输入信号转换为高电压,高电流驱动信号,从而有效驱动模块的内部IGBT。独立负IGBT引脚适用于各相位,以支持最广泛的算法控制。 特性 1200 V - 10 A 3相IGBT变频模块,带有集成的栅极驱动器和保护功能 低损耗,短路额定IGBT 采用Al2O3 DBC基板实现非常低的热阻 专用的与引脚简化PCB布局 发射极开路引脚与低侧IGBT隔离,以进行三相电流检测 单端接地电源 LVIC温度检测内置,实现温度监测 隔离额定值:2500 Vrms /分 应用 运动控制 - 家用设备/工业电机 电路图、引脚图和封装图...

  25是一款先进的Motion SPM ® 7模块,为交流感应,BLDC和PMSM电机提供功能齐全的高性能逆变器输出级。这些模块集成具有优化栅极驱动功能的内嵌MOSFET(FRFET ®技术),可最大限度地降低电磁干扰(EMI)和损耗,同时还提供多种模块导通保护功能,包括欠压锁定,热监控,故障报告和互锁功能。内嵌的一个HVIC将进入的逻辑电平栅级输入信号转换为有效驱动模块内部MOSFET所需的高电压,高电流驱动信号。独立开源MOSFET引脚适用于各相位,以支持最广泛的算法控制。 特性 UL认证号E209204(UL1557) 高性能PQFN封装 250 VR DS( on) =1.4Ω(最大值)FRFET MOSFET三相逆变器,带有栅极驱动器保护功能 低侧MOSFET的独立开源引脚用于三相电流感测 高电平有效接口,适用于3.3 / 5 V逻辑,施密特触发脉冲输入 针对低电磁干扰进行优化 HVIC内嵌温度感功能,用于监控温度 栅极驱动HVIC,具有欠压保护和互锁功能 隔离额定值:1500 V rms /分 湿度敏感等级(MSL)3 符合RoHS标准 应用 运动控制 -...

  50是一款先进的SPM ® 7模块,为交流感应,BLDC和PMSM电机提供功能齐全的高性能逆变输出级。这些模块集成具有优化栅极驱动功能的内嵌MOSFET(FRFET ®技术),可最大限度地降低电磁干扰(EMI)和损耗,同时还提供多种模块导通保护功能,包括欠压锁定,热监控,故障报告和互锁功能。内嵌的一个HVIC将进入的逻辑电平栅级输入信号转换为有效驱动模块内部MOSFET所需的高电压,高电流驱动信号。独立开源MOSFET引脚适用于各相位,以支持最广泛的算法控制。 特性 UL认证号E209204(UL1557) 高性能PQFN封装 500 VR DS(on) =1.85Ω(最大值)FRFET MOSFET三相逆变器,带有栅极驱动器和保功能 低侧MOSFET的独立开源引脚用于三相电流感测 高电平有效接口,适用于3.3 / 5 V逻辑,施密特触发脉冲输入 针对低电磁干扰进行优化 HVIC内嵌温度感功能,用于监控温度 栅极驱动HVIC,具有欠压保护和互锁功能 绝缘等级:1500 V rms /分 湿度敏感等级(MSL)3 符合RoHS标准 应用 运动控制 - 家用设备/工...

  50是一款先进的Motion SPM ® 7模块,为交流感应,BLDC和PMSM电机提供功能齐全的高性能逆变器输出级。这些模块集成具有优化栅极驱动功能的内嵌MOSFET(FRFET ®技术),可最大限度地降低电磁干扰(EMI)和损耗,同时还提供多种模块导通保护功能,包括欠压锁定,热监控,故障报告和互锁功能。内嵌的一个HVIC将进入的逻辑电平栅级输入信号转换为有效驱动模块内部MOSFET所需的高电压,高电流驱动信号。独立开源MOSFET引脚适用于各相位,以支持最广泛的算法控制。 特性 UL认证号E209204(UL1557) 高性能PQFN封装 500 VR DS( on) =3.4Ω(最大值)FRFET MOSFET三相逆变器,带有栅极驱动器保护功能 低侧MOSFET的独立开源引脚用于三相电流感测 高电平有效接口,适用于3.3 / 5 V逻辑,施密特触发脉冲输入 针对低电磁干扰进行优化 HVIC内嵌温度感功能,用于监控温度 栅极驱动HVIC,具有欠压保护和互锁功能 隔离额定值:1500 V rms /分 湿度敏感等级(MSL)3 符合RoHS标准 应用 运动控制 -...

  25A / AT是一款先进的Motion SPM ® 5模块,为交流感应,无刷直流电机和PMSM电机提供非常全面的高性能逆变器输出平台。这些模块集成内置MOSFET(FRFET ®技术)的优化栅极驱动,旨在最小化EMI和损耗,同时提供多个模块上保护功能,包括欠压锁定和热监控。内置高速HVIC仅需要单电源电压并将收到的逻辑电平极输入信号转换为高电压,高电流驱动信号,从而有效驱动模块的内部MOSFET。独立开源MOSFET引脚适用于各相位,以支持最广泛的控制算法。 特性 UL认证号E209204(UL1557) 500 VR DS(on) =0.45Ω(最大值)FRFET MOSFET三相逆变器,带有栅极驱动器和保护功能 内置自举二极管能够简化PCB布局 低侧MOSFET的独立开源引脚用于三相电流感测 高电平有效接口,适用于3.3 / 5 V逻辑,施密特触发脉冲输入 针对低电磁干扰进行优化 HVIC内嵌温度感功能,用于监控温度 HVIC可实现栅极驱动和欠压保护 绝缘等级:1500 Vrms / 1分钟 符合RoHS标准 应用 运动控制 - 家用设备/工业电机 电路图、引脚图和封装...

  CH120D是一款先进的Motion SPM ® 3模块,为交流感应,BLDC和PMSM电机提供功能齐全的高性能逆变器输出级。这些模块集成了内置IGBT已优化的栅极驱动,从而最小化EMI和损耗,同时提供多种模块化保护特性,包括欠压锁定,过流关断和故障报告。内置高速HVIC仅需要单电源电压并将收到的逻辑电平栅极输入信号转换为高电压,高电流驱动信号,从而有效驱动模块的内部IGBT。独立负IGBT引脚适用于各相位,以支持最广泛的算法控制。 特性 1200 V - 10 A三相IGBT逆变器,带积分栅极驱动器和保护功能 低功耗,额定短路IGBT 使用Al 2 0 3 陶瓷基质实现极低热阻 专用Vs引脚能够简化PCB布局 低侧IGBT的独立发射极开路引脚用于三相电流检测 单相接地电源 绝缘等级:2500 V rms /分 应用 运动控制 - 家用设备/工业电机 电路图、引脚图和封装图...

  06S是MotionSPM®5系列产品,基于快速恢复MOSFET(FRFET®)技术,用作小功率电机驱动应用(如风扇和泵)的紧凑型逆变器解决方案。 它由六个FRFET MOSFET产品和三个半桥栅极驱动HVIC组成。此外,由于它采用MOSFET作为电源开关,因此,它具有比IGBT功率模块更强的耐用性和更大的安全工作区(SOA)。该封装针对热性能和紧凑性进行了优化,以便用于空间有限的应用.FSB52006S是要求高能效, 特性 60V,RDS(ON)。最大=80mΩ@ 25°C三相FRFET逆变器,包括高压集成电路(HVIC) 三个独立负直流链路端子,实现逆变器电流感测应用 栅极驱动和欠压保护的HVIC 高电平有效接口,可用于3.3V / 5V逻辑电平 针对低电磁干扰进行优化 1500Vrms / 1min的额定隔离电压。 表面贴装器件封装 湿度敏感等级(MSL)3 应用 运动控制 - 家用设备/工业电机 电路图、引脚图和封装图...

  60F是一款用于运动控制的电源模块,旨在为空调和工业逆变器等低功耗应用中的交流电机驱动提供极其紧凑的高性能逆变器解决方案。它将低损耗短路额定IGBT和优化的栅极驱​​动器组合在一个完全隔离的封装中,以提供简单而稳健的设计。内置NTC进一步增强了系统可靠性,用于温度监控,高低侧集成欠压锁定功能和过流保护输入。用于低侧IGBT的三个独立的开路发射极引脚可实现三脚电流感应。内置自举二极管和专用VS引脚使PCB布局变得简单。 特性 UL认证编号E209204 600 V,20 A 3相IGBT逆变器,包括用于栅极驱动和保护的控制IC 内置自举二极管和专用Vs引脚便于PCB布局 用于三脚电流感应的低侧IGBT三个独立的开路 - 发射极引脚 单 - 带引导操作的接地电源 用于过温监控的内置NTC热敏电阻 隔离等级为2000 Vrms / min。 应用 运动控制 - 家用电器/工业电机 电路图、引脚图和封装图...

  12A是Motion SPM ® 2模块,为交流感应,BLDC和PMSM电机提供功能齐全的高性能逆变器输出级。这些模块集成了内置IGBT的优化栅极驱动,可最大限度地降低EMI和损耗,同时还提供多种模块内保护功能:欠压锁定,过流关断,温度检测和故障报告。内置的高速HVIC仅需要一个电源电压,并将输入的逻辑门电路输入转换为高压,高电流驱动信号,以正确驱动模块的内部IGBT。每个相都有单独的负IGBT端子,以支持最广泛的控制算法。 特性 UL认证编号E209204(UL1557) 1200 V - 50三相IGBT逆变器,包括用于栅极驱动和保护的控制IC 低损耗,短路额定IGBT 使用AlN DBC基板的极低热阻 内置自举二极管和专用Vs引脚简化PCB布局 从低侧IGBT分离开路发射极引脚以实现三相电流检测 支持单接地电源 用于温度监测和管理的内置NTC热敏电阻 可调节OV通过集成传感器IGBT进行电流保护 隔离额定值为2500 Vrms / 1 min。 应用 运动控制 - 家用电器/工业电机 电路图、引脚图和封装图...

  65L4BT是一款PFCSPM®2模块,为消费,医疗和工业应用提供全功能,高性能的交错式PFC(功率因数校正)输入功率级。这些模块集成了内置IGBT的优化栅极驱动,可最大限度地降低EMI和损耗,同时还提供多种模块内保护功能,包括欠压锁定,过流关断,热监控和故障报告。这些模块还具有全波整流器和高性能输出SiC二极管,可节省更多空间和安装便利性。 特性 650 V - 50 A 2阶段具有整体栅极驱动器和保护的交错式PFC 使用Al2O3 DBC衬底的极低热阻 全波桥式整流器和高性能输出SiC升压二极管 用于温度监控的内置NTC热敏电阻 隔离评级:2500 Vrms / min 应用 终端产品 2相交错式PFC转换器 商用空调 工业电机 电路图、引脚图和封装图...

  NCP81074 小型 高速低侧MOSFET驱动器 具有10A吸收/源功能

  74是一款单通道,低侧MOSFET驱动器,能够吸收和提供高达10A的电流。该驱动器可在米勒高原区域提供7A峰值电流,以克服切换期间MOSFET的米勒效应。分离输出配置允许调整开启和关闭转换速率。这些器件采用SOIC8和2mm x 2mm DFN封装。 特性 优势 高电流驱动能力 降低开关损耗 双输入设计 允许差分输入信号进行更多控制 应用 终端产品 隔离砖 电信和数据中心设备 工业电机 服务器,电信和数据中心设备的隔离电源 电机控制 辅助同步整流器 电路图、引脚图和封装图...

  5 / NCV8606在固定电压选项下提供超过500 mA的输出电流,或者在5.0 V至1.25 V范围内提供可调输出电压。这些器件专为空间受限和便携式电池供电应用而设计,并提供其他功能,如具有高PSRR,低噪声操作,短路和热保护。这些器件设计用于低成本陶瓷电容器,采用DFN6 3x3.3封装。 NCV8605的设计没有使能引脚,NCV8606设计有使能引脚。 特性 输出电压选项:可调,1.5 V,1.8 V,2.5 V,2.8 V, 3.0 V,3.3 V,5.0 V 外部电阻可调输出,从5.0 V降至1.25 V 电流限制675 mA 低I GND (独立于负载) 1.5%输出电压容差(可调) 在所有工作条件下2%输出电压容差(已修复) NCP605已修复直接替换LP8345 没有旁路电容的50 Vrms的典型噪声电压 增强型ESD额定值:4 kV人体模式(HBM) 400 V Machin e Model(MM) 应用 终端产品 电池电力电子设备 便携式仪器 硬盘驱动程序 笔记本电脑 电路图、引脚图和封装图...

  电子商务作为数字经济的突出代表,在促消费、保增长、调结构、促转型等方面展现出前所未有的发展潜力,也为....

  / NCP606低压降(LDO)线性稳压器在固定电压选项下提供超过500 mA的输出电流,或者在5.0 V至1.25 V范围内提供可调输出电压。这些器件专为空间受限和便携而设计电池供电的应用,并提供额外的功能,如高PSRR,低噪音操作,短路和热保护。这些器件设计用于低成本陶瓷电容器,采用DFN6 3x3.3封装。 NCP605的设计没有使能引脚,NCP606设计有使能引脚。 特性 输出电压选项:可调,1.5 V,1.8 V,2.5 V,2.8 V, 3.0 V,3.3 V,5.0 V 外部电阻可调输出,从5.0 V降至1.25 V 电流限制675 mA 低I GND (独立于负载) ±1.5%输出电压容差,适用于所有工作条件(可调) ±2%输出电压容差操作条件(固定) NCP605已修复直接替换LP8345 没有旁路电容的50μVrms的典型噪声电压 增强型ESD额定值:4 kV人体模式(HBM) 400 V Ma中文模型(MM) 这些是无铅设备 应用 终端产品 电池电力电子设备 便携式仪器 硬盘驱动程序 笔记本电脑 电路图、引脚图和封装图...

  是50 mA LDO线性稳压器。它是一款非常稳定和精确的器件,具有超低的接地电流消耗(在整个输出负载范围内为4.7 uA)和宽输入电压范围(最高24 V)。稳压器具有多种保护功能,如热关断和限流。 类似产品: NCP715 NCP716 NCP716B NCP718 输出电流(A) 0.05 0.08 0.15 0.30 PSRR f = 1 kHz(dB) 52 60 53 52 压差电压(V) 0.230 0.310 0.600 0.275 特性 优势 工作输入电压范围:2.5 V至24 V 宽VIN也适合电池供应 1.2 V,1.5 V,1.8 V,2.5 V,3.0 V,3.3 V,5 V Fixe d输出电压选项 设计灵活性 低4.7 uA典型静态电流 延长电池寿命 PSRR在1 kHz时为54 dB 适用于噪声敏感电路 热关断和限流保护 保护产品和系统免受损坏 提供XDFN6 1.5 x 1.5 mm,TSOP-5和SC-70封装 满足设计和制造需求的多种包装选项 应用 终端产品 便携式设备 通信系统 超低功耗微控制器 智能手机充电器 工业电机控制 恒温器 电路图、引脚图和封装图...

  AR1337 CMOS成像传感器 13 MP 采用SuperPD™PDAF技术

  是一款采用SuperPD™PDAF技术的13万像素CMOS成像传感器。这款先进的传感器具有独特的PDAF微透镜和PDAF图案技术,在低光照条件下具有出色的自动对焦性能。采用1.1μm像素构建,提供符合行业标准的1 / 3.2“光学格式,使AR1337具有适合大批量设计的尺寸。图像质量由领先的量子效率和灵敏度驱动,同时保持低读取噪声。这种组合可在明亮的日光或低室内照明条件下提供出色的图像。 AR1337以每秒30帧的速度运行在13 MP,并支持每秒30帧的4k2k视频和高达每秒60帧的全高清1080P视频。 特性 优势 SuperPD™PDAF技术 领先的低光自动对焦性能 独特的PDAF图案和微透镜技术 高精度相位检测自动聚焦(PDAF)功能 片上坏像素校正和AF计算 简化的相机模块积分校准和与后端应用处理器的集成 具有低读取噪声的高量子效率和灵敏度 卓越的图像质量,尤其是在光线不足 应用 终端产品 智能手机相机 平板电脑相机 智能手机 平板电脑 电路图、引脚图和封装图...

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